|  |
|
|
Kanaler kan skabes i en siliciumskive med anisotropisk ætsning. Enten ved at udnytte substratets mono-krystalgitterstruktur (vådætsning) eller ved at bruge plasma assisted etching (tørætsning).
|
|
|
Masken påføres.
|
|
|
Den isotropiske kanalstruktur skabes ved enten vådætsning eller tørætsning.
|
Sidst opdateret 30.04.2010 Ansvarlig:
Jörg Hübner
|
|
|
Cantilever
Membran
Bølgeleder
Indkapsling
Anisotropisk Kanal
Isotropisk Kanal
Ledende Belægning
Dielektrika
Elektrisk Leder
Dit Produkt
|
|