Geometrisk formgivning på silicium foretages altid med ætsningsprocesser i kombination med materialedeponering. Målet for procesudvikling inden for ætsningsteknik sigter mod at definere mønstre mere præcist (f.eks. ruhed, sidevægges vinkler, kanter, riller mv.) og på at skabe mere effektive metoder.
Induktivt koblet plasma ætsning (ICP) er en videreudvikling af Reactive Ion Etch (RIE)-teknologi. Begge metoder er baseret på plasmaætsning styret med radiobølger (RF). Ved at koble RF-energi induktivt gennem ætsningskammerets vægge til plasmaet, kan man opnå en højere plasmatæthed.
I sammenligning med traditionel RIE-ætsning kan ICP-teknik ætse hurtigere, samtidigt med at der opstår færre skader på substratet og erodering af masken mindskes. Den hurtige ætsning gør at man kan ætse gennemgående huller i 500 mikrometer tykke substrater på ganske kort tid.
På DTU Danchip har vi fem enheder i drift. Alle maskiner er leveret af STS. Hver maskine er dedikeret til en af de følgende typer ætsning: metalætsning, siliciumætsning (Advanced Silicon Etcher - ASE), oxidætsning (Advanced Oxide Etcher - AOE), polymerætsning og III-V materialeætsning. Alle fem systemer kan håndtere skivestørrelser på til 6".
Billedet i toppen viser en særlig konstruktion fra DTU Danchip, hvor en siliciumskive bruges som spejl, hvor man kan følge plasmaets glødende lys i proceskammeret. Ser vores liste over ætsningsudstyr.